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碳化硅(SiC)逆变器技术的功率和里程优势的物理层

TCAN1044A-Q1和TCAN1044AV-Q1是高速控制器局域网(CAN)收发器,满足ISO11898-2:2016高速CAN指标的物理层要求.

收发器具有保证合格的电磁兼容性操作,使它非常适合于高达5Mbps的经典CAN和CAN FD网络.采用这些器件在简单网络里能达到高达8Mbps的工作.

TCAN1044AV-Q1包括有内部的逻辑电平转换,经由VIO引脚,使得收发器的I/O直接接口到1.8V,2.5V,3.3V和5V逻辑电平.

碳化硅(SiC)逆变器技术的功率和里程优势的物理层

制造商: Texas Instruments

产品种类: 16位微控制器 - MCU

RoHS:  详细信息

系列: MSP430G2253

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-28

核心: MSP430

程序存储器大小: 2 kB

数据总线宽度: 16 bit

ADC分辨率: 10 bit

最大时钟频率: 16 MHz

输入/输出端数量: 24 I/O

数据 RAM 大小: 256 B

工作电源电压: 1.8 V to 3.6 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: 85 C

封装: Reel

商标: Texas Instruments

ADC通道数量: 8 Channel

计时器/计数器数量: 2 Timer

处理器系列: 2 Series

产品类型: 16-bit Microcontrollers - MCU

工厂包装数量: 2000

子类别: Microcontrollers - MCU

商标名: MSP430

看门狗计时器: No Watchdog Timer

单位重量: 403 mg

碳化硅(SiC)逆变器技术的功率和里程优势的物理层

新型ELCRES? HTV150电容薄膜,该产品专门针对高温高压的专业级电容器应用而开发,例如:用于混动、插电式混动和纯电动汽车(xEV)的牵引逆变器。

这一创新型解决方案填补了现有电容薄膜在 135-150°C工作温度范围内的重大性能差距,并可充分发挥碳化硅(SiC)逆变器技术的功率和里程优势。

此外,公司还将重点介绍其在整个价值链上开展的协作,旨在通过这种电容薄膜支持电容器生产并提升其性能。

碳化硅(SiC)逆变器技术的功率和里程优势的物理层

(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)