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何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭

在DRAM结构中,电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。

随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。

对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。

在本研究中,我们将为大家呈现,如何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲和与之相关的微负载效应与制造变量。

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制造商:Diodes Incorporated 产品种类:线性稳压器 封装 / 箱体:TO-252-2 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Diodes Incorporated 湿度敏感性:Yes 产品类型:Linear Voltage Regulators 工厂包装数量2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:1 g

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按照电路流程安排各个功能电路单元的位置,使布局便于信号流通,并使信号尽可能保持一致的方向。

在高频下工作的电路,要考虑元器件之间的分布参数。一般电路应尽可能使元器件并行排列,这样不但美观,而且装旱容易,易于批量生产。

多层印制电路板中,可设置接地层,接地层设计成网状。地线网格的间距不能太大,因为地线的一个主要作用是提供信号回流路径,若网格的间距过大,会形成较大的信号环路面积。

地线阻抗的大小是由哪些参数决定的,RDC是导线上的直流电阻值,jwL是感抗。

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