http://www.aesjx.com

850nm波段下大幅提升54.9% MOS管导通电阻为Rdson

SC850SL作为思特威首颗Stack的Rolling Shutter产品,采用Stack BSI架构设计辅以新一代工艺双重升级,使图像传感器的感度大幅提升,相较于业内同类产品,感光度提升15%。

SC850SL还采用思特威创新的超低噪声外围读取电路技术,成像噪声大幅优化,相较于业内同类产品,读取噪声(RN)与固定噪声(FPN)分别降低69%与59%,实现优异的夜视全彩成像。

SC850SL搭载思特威全新的第二代近红外感度NIR 技术,QE(量子效率)显著提升,相较前代NIR 技术,在850nm波段下大幅提升54.9%,940nm波段下提升79.6%。

850nm波段下大幅提升54.9% MOS管导通电阻为Rdson

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:50 V Id-连续漏极电流:300 mA Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:- 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度: 150 C Pd-功率耗散:350 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:1.3 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:200 mS 产品类型:MOSFET 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 单位重量:8 mg

850nm波段下大幅提升54.9% MOS管导通电阻为Rdson

MOS管除了3个极之间的Cgd、Cds和Cgs寄生电容外,在G极、D极和S极分别串有寄生电感Lg、Ld和Ls,这些寄生电感主要由MOS管的引脚材质和引脚长度决定,它们是真实存在的。

在米勒平台期间,Cds、Cds(ext)及Cgd放电,放电能量储存在Ld、Ls和Lg中.

当为了改善电路的EMI时,通常在MOS管D、S间并联高压电容,在此为了模拟实验,采用Cds(ext) 470 pF来说明,MOS管导通电阻为Rdson。

PFC二极管D2的反向恢复电流通路为:D2经Ld和Rdson,再到Ls。

850nm波段下大幅提升54.9% MOS管导通电阻为Rdson

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)